OnePlus 9シリーズ、SD888、LPDDR5メモリ、UFS3.1規格ストレージ、デュアルスピーカー搭載確定

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OnePlusは昨日、中国Weiboにて、OnePlus 9シリーズのパフォーマンスにに関する情報を公開しました。

公開された公式のティーザー画像によると、OnePlus 9 シリーズはQualcommの最新チップセットSnapdragon 888を搭載します。

更に現在スマートフォンで一番パフォーマンスが発揮できるとされる、LPDDR 5メモリーに加え、UFS 3.1規格のストレージが搭載されるとしています。

LPDDR 5メモリーは搭載されると消費電力の削減、メモリパフォーマンスの上昇。UFS 3.1ストレージは、単純にストレージの読み書きが早くなることで、アプリの読み込み速度向上が期待できます。

その他にも新しい放熱設計を取り入れることで、重いゲーム時でもフレームレートを安定させられるとCEOは語ります。

パフォーマンスを引き出すために

OnePlus公式Twitterでは冷却性能についてもふれられており、Google翻訳で「アクションが熱くなったら、#OnePlus9Proの5層ゲームグレード冷却システムで頭を冷やしてください。 3月23日来ます」と述べています。

5層の冷却システムが搭載されているので、ゲーム時でもSnapdragon 888の性能を引き出せるのだとか。以前にSnapdragon 888を搭載するXiaomi Mi 11が、テストで発熱とバッテリードレインに優れていない結果となっています。

このことからも冷却性能は、ゲーミングスマートフォン程ではなくとも、しっかりと性能を維持し続けられる形にはしてもらいたいところですね。

ソース : weibo

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